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中科院武漢物數所芯片原子磁強計研究取得新進展
2019-09-06 | 编辑: | 【  】【打印】【關閉

  芯片化是原子磁強計設計的未來發展方向。近期,中科院武漢物數所CPT頻標組科研人員提出一種基于單束多色多偏振光與原子作用的磁強計探頭設計方案,可利用芯片尺寸的微型化原子氣室獲取高靈敏度磁敏信號,爲芯片級高精度原子磁強計設計提供了一種可行的方案。研究結果以快報形式發表在Physical Review Applied上。 

  目前技術上較爲成熟的芯片級原子磁強計采用雙共振方案,其磁場靈敏度不高,在10pT/Hz1/2量級。傳統的高精度原子磁強計采用法拉第旋光原理設計,由于需采用傳播方向相互垂直的雙束光與原子作用,因此難以芯片化。張奕高級工程師等采用單束多色多偏振光與原子作用,實現了與傳統法拉第旋光效應原子磁強計方案相同作用效果,實測得到的磁場靈敏度爲20fT/Hz1/2。由于該方案采用單束光替代雙束光與原子作用,故可大大減小探頭體積,易于實現芯片化。 

  該項工作受到科技部重點研發計劃、自然科學基金青年基金資助。 

  (論文鏈接:https://journals.aps.org/prapplied/abstract/10.1103/PhysRevApplied.12.011004 

  1 單束多色多偏振光法拉第旋光效應原子磁強計方案原理 








 
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